1000万次循环、1000年不泄露!Quinas获1000万元推动UltraRAM内存量产
BB数码7月16日消息,英国QuInAs Technology近日宣布,公司已获得Innovate UK基金会的110万英镑(约合1038万元人民币)资助,用于推动UltraRAM内存技术的量产化进程。
这笔资金将用于将UltraRAM晶圆直径由3英寸扩大到6英寸,下一阶段目标是在完整的8英寸晶圆上制造,然后将该工艺转化为适合晶圆厂的工业工艺。
这项技术由英国兰开斯特大学和华威大学的物理学家共同开发,旨在将非易失性闪存NAND与易失性内存RAM的优势结合,创造出一种超高效、高耐用性的新型存储解决方案。
UltraRAM的核心优势在于其超长的写入寿命和数据保持能力,QuInAs声称,UltraRAM技术最高可承受1000万次的重写循环,同时存储到UltraRAM单元中的电荷可以保持1000年不泄露。
同时UltraRAM的能效比DRAM高出100倍,比3D NAND高出1000倍。
UltraRAM的创新之处在于其三层浮动阀的设计,由砷化铟和锑化铝(InAs/AlSb)材料制成,这种结构不仅确保了能源效率,还提供了优秀的数据保护。
在读取操作中,UltraRAM采用非破坏性方式,电子在共振时穿过三重势垒进入单元,擦除过程中则以相同的方式退出,这种机制使得写入过程极为节能。
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