三星成立新的HBM团队:推进HBM3E和HBM4开发工作
BB数码7月8日消息,据媒体报道,三星公司近期宣布成立全新的“HBM开发团队”,这一战略举措标志着三星在高性能内存(HBM)技术领域的雄心与决心迈入了一个新阶段。
该团队将专注于前沿技术的研发,特别是HBM3、HBM3E以及备受期待的下一代HBM4技术,旨在显著提升三星在全球HBM市场的竞争力和市场份额。
回顾过往,三星自2015年起便在DRAM部门内部深耕HBM技术的蓝海,不仅设立了专项团队,还成立了特别工作组,持续推动技术创新与突破。此次组织架构的升级,无疑是对过往努力的深化与加强,彰显了三星对HBM技术未来发展的坚定信心。
为了加速抢占高附加值DRAM市场的制高点,三星展现出了惊人的研发速度与执行力。今年年初,三星便宣布成功研发出HBM3E 12H DRAM,并紧随其后在四月实现了HBM3E 8H DRAM的量产,这一系列成就不仅体现了三星的技术实力,也为其在HBM领域的领先地位奠定了坚实基础。
值得注意的是,三星与英伟达等行业巨头的合作也在不断深入。自去年起,三星便积极向英伟达提供HBM3E样品进行严苛验证,涵盖8层与12层堆叠技术,虽历经挑战但进展显著,预计将在今年第三季度末迎来部分验证工作的圆满完成,这一合作无疑将加速HBM技术在高端计算领域的普及与应用。
此外,三星还通过官方渠道分享了HBM产品的最新研发进展,并明确透露了HBM4技术的研发时间表,即计划于2025年首次亮相。这一消息不仅引发了业界的广泛关注,也进一步激发了市场对未来高性能计算、人工智能等领域技术革新的期待。
更有传言指出,三星正考虑在HBM4中引入革命性的非导电粘合膜(NCF)组装技术和混合键合(HCB)技术,以优化高温环境下的热特性,进一步提升产品的稳定性和可靠性,这将是对现有技术边界的又一次勇敢探索。
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